Toshiba начала выпуск 43-нм памяти SLC NAND рекордной плотности
29th Октябрь 2008
Компания Toshiba объявила о выпуске новой линии 43-нм флэш-памяти типа SLC (single-level cell) NAND, включающей продукты плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Линия включает 16 изделий, различающихся не только плотностью, но и типом корпуса. Три новинки — компоненты плотностью 16, 32 и 64 Гбит — изготавливаются из монолитных 16-Гбит чипов. По имеющимся данным, это чипы максимальной плотности, выпускаемые сейчас по нормам 43 нм. Появление новых продуктов на рынке ожидается в будущем году.
В последние годы Toshiba наращивала производство флэш-памяти типа MLC (multi-level-cell) NAND, используемой для хранения информации, например, в сменных носителях и проигрывателях MP3. Производство чипов SLC было ограничено; для него использовались нормы 56 и 70 нм. Выпуском новых продуктов более высокой плотности компания рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.
Источник: Toshiba